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YFBE64A

九齊芯片

NY8BE64A 是以MTP作為程式記憶體,并以EEPROM作為非揮發(fā)性資料記憶體的 8 位微控制器,專為家電或量測等等的I/O應用設計。采用CMOS制程并同時提供客戶低成本、高性能、及高抗電磁干擾等優(yōu)勢。NY8BE64A 核心建立在RISC精簡指令集架構(gòu)可以很容易地做編輯和控制,共有 55 條指令。除了少數(shù)指令需要 2 個時序,大多數(shù)指令都是 1 個時序即能完成,可以讓使用者輕松地以程式控制完成不同的應用。因此非常適合各種中低記憶容量但又復雜的應用。
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服務熱線:0755-82225097

  • 產(chǎn)品詳情
產(chǎn)品概述

NY8BE64A 是以MTP作為程式記憶體,并以EEPROM作為非揮發(fā)性資料記憶體的 8 位微控制器,專為家電或量測等等的I/O應用設計。采用CMOS制程并同時提供客戶低成本、高性能、及高抗電磁干擾等優(yōu)勢。NY8BE64A 核心建立在RISC精簡指令集架構(gòu)可以很容易地做編輯和控制,共有 55 條指令。除了少數(shù)指令需要 2 個時序,大多數(shù)指令都是 1 個時序即能完成,可以讓使用者輕松地以程式控制完成不同的應用。因此非常適合各種中低記憶容量但又復雜的應用。

NY8BE64A 內(nèi)建高精度十二加二通道十二位類比數(shù)位轉(zhuǎn)換器,與高精度電壓比較器,足以應付各種類比界面的偵測與量測。

在I/O的資源方面,NY8BE64A 有 18 根彈性的雙向I/O腳,每個I/O腳都有單獨的暫存器控制為輸入或輸出腳。而且每一個I/O腳位都有附加的程式控制功能如上拉或下拉電阻或開漏極(Open-Drain) 輸出。此外針對紅外線搖控的產(chǎn)品方面,NY8BE64A內(nèi)建了可選擇頻率的大電流輸出紅外載波發(fā)射口(PA3)。

NY8BE64A 有四組計時器,可用系統(tǒng)頻率當作一般的計時的應用或者從外部訊號觸發(fā)來計數(shù)。另外NY8BE64A 提供5 組 10 位元解析度的PWM輸出,1 組蜂鳴器輸出可用來驅(qū)動馬達、LED、或蜂鳴器等等。NY8BE64A的計時器同時具有增強型捕捉/比較/可編程死區(qū)時間的PWM模塊(ECCP)

NY8BE64A 采用雙時鐘機制,高速振蕩或者低速振蕩都可以分別選擇內(nèi)部RC振蕩或外部Crystal輸入。在雙時鐘機制下,NY8BE64A 可選擇多種工作模式如正常模式(Normal)、慢速模式(Slow mode)、待機模式(Standby mode) 與睡眠模式(Halt mode)可節(jié)省電力消耗延長電池壽命。并且微控制器在使用內(nèi)部RC高速振蕩時,低速振蕩可以同時使用外部精準的晶振計時。可以維持高速處理同時又能精準計算真實時間。

在省電的模式下如待機模式(Standby mode) 與睡眠模式(Halt mode)中,有多種事件可以觸發(fā)中斷喚醒NY8BE64A 進入正常操作模式(Normal) 或 慢速模式(Slow mode) 來處理突發(fā)事件。

NY8BE64A內(nèi)建除錯仿真電路,利用兩個腳位與很少的外接硬體,就能實現(xiàn)在線仿真器的大多數(shù)功能, 例如設定程式執(zhí)行條件與中斷條件, 片上單步執(zhí)行,以及查看及設定各種暫存器的內(nèi)容。仿真的執(zhí)行效果將比一般的仿真器更接近實際IC運作。

NY8BE64A內(nèi)建的一組變頻振蕩器,能彈性選擇輸出頻率區(qū)段,以適用于多樣的霧化器元件,更可以程式細調(diào)輸出頻率,細度足以應付霧化器的元件偏差。

產(chǎn)品功能
YFBE64A

寬廣的工作電壓:

3.3V ~ 5.5V @ FINST = 8MHz。

2.2 V ~ 5.5V @ FINST<4MHz。

寬廣的工作溫度:-40°C ~ 85°C。

超過 ±8KV 的ESD。

雜訊過濾功能(Noise Filter) 打開時可容忍超過 ±4KV 的EFT。(操作電壓@5V)

4Kx14 bits MTP。

288 bytes SRAM。

256 bytes EEPROM。(一萬次讀寫)

18 根可分別單獨控制輸入輸出方向的I/O腳(GPIO)、PA[7:0]、PB[7:0] 、PC[1:0]。

PA[5:0]、PB[3:0] 及 PC[1:0] 可選擇輸入時使用內(nèi)建下拉電阻。

PA[7:0]、PB[7:0] 及 PC[1:0]可選擇輸入時使用上拉電阻。

PB[7:0]、PC[1:0] 可選擇開漏極輸出(Open-Drain)。

所有I/O腳輸出可選擇小灌電流(Small Sink Current) 或一般灌電流(Normal Sink Current)或大灌電流(Large Sink Current) 。PA[4]可另外選擇Ultra Sink Current。

所有I/O腳輸出可選擇小推電流(Small Drive Current)或一般推電流(Nromal Drive Current)。PA[4]可另外選擇

Ultra Drive Current。

8 層程式堆棧(Stack)。

存取資料有直接或間接定址模式。

一組 8 位上數(shù)計時器(Timer0)包含可程式化的頻率預除線路。

三組 10 位下數(shù)計時器(Timer1, 4, 5)可選重復載入或連續(xù)下數(shù)計時。

五個 10 位脈沖寬度調(diào)變(PWM1, 2, 3, 4, 5)。

一個蜂鳴器輸出(BZ1)。

38/57KHz紅外線載波頻率可供選擇,同時載波之極性也可以根據(jù)數(shù)據(jù)作選擇。

大電流輸出紅外線載波發(fā)射口。

內(nèi)建準確的低電壓偵測電路(LVD)。

內(nèi)建十二加二通道 12 位類比數(shù)位轉(zhuǎn)換器(Analog to Digital Converter)。

內(nèi)建準確的電壓比較器(Voltage Comparator)。

內(nèi)建上電復位電路(POR)。

內(nèi)建低壓復位功能(LVR)。

內(nèi)建看門狗計時(WDT),可由程式韌體控制開關。

內(nèi)建電阻頻率轉(zhuǎn)換器(RFC)功能。

雙時鐘機制,系統(tǒng)可以隨時切換高速振蕩或者低速振蕩。

高速振蕩:E_HXT (超過 6MHz外部高速石英振蕩)

E_XT (455K~6MHz外部石英振蕩)

I_HRC (1~20MHz內(nèi)部高速RC振蕩)

低速振蕩:E_LXT (32KHz外部低速石英振蕩)

I_LRC (內(nèi)部 32KHz低速RC振蕩)

四種工作模式可隨系統(tǒng)需求調(diào)整電流消耗:正常模式(Normal)、慢速模式(Slow mode)、待機模式(Standby

mode) 與 睡眠模式(Halt mode)。

NY8BE64A

十三種硬體中斷:

Timer0 溢位中斷。

Timer1 借位中斷。

Timer4 借位中斷。

Timer5 借位中斷/CCPI 中斷。

WDT 中斷。

PA/PB 輸入狀態(tài)改變中斷。

三組外部中斷輸入。

低電壓偵測中斷。

比較器輸出轉(zhuǎn)態(tài)中斷。

類比數(shù)位轉(zhuǎn)換完成中斷。

串行接口模組(SIM)中斷。

UART 接口模組讀或?qū)懼袛唷?

EE中斷。

NY8BE64A在待機模式(Standby mode)下的十一種喚醒中斷:

Timer0 溢位中斷。

Timer1 借位中斷。

Timer4 借位中斷。

Timer5 借位中斷。

WDT 中斷。

PA/PB 輸入狀態(tài)改變中斷。

三組外部中斷輸入。

低電壓偵測中斷。

比較器輸出轉(zhuǎn)態(tài)中斷。

類比數(shù)位轉(zhuǎn)換完成中斷。

串行接口模組(SIM)中斷。

NY8BE64A在睡眠模式(Halt mode)下的三種喚醒中斷:

WDT 中斷。

PA/PB 輸入狀態(tài)改變中斷。

三組外部中斷輸入。

內(nèi)建變頻振蕩器(V_HRC) 提供 32MHz/20.8MHz/16MHz/13.6MHz 四種選擇。可微調(diào)精度至 ±0.1%。

內(nèi)建二線控制的除錯仿真電路(On Chip Debug)。

引腳圖

NY8BE64A提供兩種封裝類型:SOP20 和SOP16

引腳圖

引腳說明

引腳說明

推薦產(chǎn)品

NY8A051C

NY8A051C單片機

九齊NY8A051C單片機是以EPROM作為記憶體的8位單片機,專為多IO產(chǎn)品的應用而設計,例如遙控器、風扇/燈光控制或是遊樂器周邊等等。採用CMOS製程並同時提供客戶低成本、高性能、及高抗電磁干擾等顯著優(yōu)勢。NY8A051C核心建立在RISC精簡指令集架構(gòu)可以很容易地做編輯和控制,共有55條指令。除了少數(shù)指令需要2個時序,大多數(shù)指令都是1個時序即能完成,可以讓使用者輕鬆地以程式控制完成不同的應用。因此非常適合各種中低記憶容量但又複雜的應用。
NY8A051D單片機

NY8A051D單片機

NY8A051D是以EPROM作為存儲器的8位單片機,專為多IO產(chǎn)品的應用而設計,例如遙控器、風扇/燈光控制或是玩具周邊等等。采用CMOS制程并同時提供客戶低成本、高性能等優(yōu)勢。NY8A051D核心建立在RISC精簡指令集架構(gòu)可以很容易地做編程和控制,共有55條指令。除了少數(shù)指令需要兩個指令時鐘,大多數(shù)指令都是一個指令時鐘能完成,可以讓用戶輕松地以程序控制完成不同的應用。因此非常適合各種中低記憶容量但又復雜的應用。
NY8A062D

NY8A062D單片機

NY8B062D是以EPROM作為存儲器的8位單片機,專為家電或量測等等的I/O應用設計。采用CMOS制程并同時提供客戶低成本、高性能、及高性價比等顯著優(yōu)勢。NY8B062D核心建立在RISC精簡指令集架構(gòu)可以很容易地做編程和控制,共有55條指令。除了少數(shù)指令需要兩個指令時鐘,大多數(shù)指令都是一個指令時鐘能完成,可以讓用戶輕松地以過程控制完成不同的應用。因此非常適合各種中低記憶容量但又復雜的應用。NY8B062D內(nèi)建高精度十一加一通道12位ADC模數(shù)轉(zhuǎn)換器,與高精度電壓比較器,足以應付各種模擬接口的偵測與量測。
NY8A062A

NY8A062A單片機

NY8B062A是以EPROM作為記憶體的8位元微控制器,除了適用於家電或量測等等的I/O應用設計。更針對霧化器產(chǎn)品做優(yōu)化調(diào)適。採用CMOS製程並同時提供客戶低成本、高性能、及高抗電磁干擾等顯著優(yōu)勢。NY8B062A核心建立在RISC精簡指令集架構(gòu)可以很容易地做編輯和控制,共有55條指令。除了少數(shù)指令需要2個時序,大多數(shù)指令都是1個時序即能完成,可以讓使用者輕鬆地以程式控制完成不同的應用。因此非常適合各種中低記憶容量但又複雜的應用。
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